Metamorphic growth by Molecular Beam Epitaxy and physical characterizations for InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor on GaAs

Thesis available online from January 2006Previously available on the website of the Epitaxy Team at IEMNTransferred on http://tel.ccsd.cnrs.fr on May 21st, 2006 (for the new version of the website of the Epitaxy Team at IEMN)Author currently at the Department of Microtechnology and Nanoscience MC2Chalmers University of Technology, Göteborg – SWEDENThèse disponible en ligne depuis Janvier 2006Précédemment disponible sur le site web de l'Equipe Epitaxie de l'IEMNTransférée sur http://tel.ccsd.cnrs.fr le 21 mai 2006 (pour la nouvelle version du site web de l'Equipe Epitaxie de l'IEMN)

Data and Resources

Additional Info

Field Value
Source https://theses.hal.science/tel-00070835
Author Lefebvre, Eric
Maintainer CCSD
Last Updated May 15, 2026, 17:53 (UTC)
Created May 15, 2026, 17:53 (UTC)
Identifier tel-00070835
Language fr
Rights https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/
contributor Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
creator Lefebvre, Eric
date 2005-06-03T00:00:00
harvest_object_id e1ff7b96-64de-4508-b8b0-c30b85124439
harvest_source_id 3374d638-d20b-4672-ba96-a23232d55657
harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2024-01-24T00:00:00
set_spec type:THESE