P-type and N-type multi-gate polycrystalline silicon vertical thin film transistors based on low-temperature technology

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Source ISSN: 0038-1101
Author Zhang, Peng, Jacques, Emmanuel, Rogel, Regis, Bonnaud, Olivier
Maintainer CCSD
Last Updated May 8, 2026, 04:51 (UTC)
Created May 8, 2026, 04:51 (UTC)
Identifier hal-00906019
Language en
Rights https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/
contributor Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR) ; Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes) ; Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
creator Zhang, Peng
date 2013-05-08T00:00:00
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harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2023-03-24T00:00:00
relation info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.sse.2013.04.021
set_spec type:ART