Investigation of 1.2 kV investigation of SiC MOSFETs for aeronautics applications

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Source Investigation of 1.2 kV investigation of SiC MOSFETs for aeronautics applications
Author Othman, Dhouha, Lefebvre, Stéphane, Berkani, Mounira, Khatir, Zoubir, Ibrahim, Ali, Bouzourene, Arezki
Maintainer CCSD
Last Updated May 9, 2026, 02:48 (UTC)
Created May 9, 2026, 02:48 (UTC)
Identifier hal-00881162
Language en
contributor Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE) ; École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP) ; Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [Cnam] (Cnam)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
coverage Lille, France
creator Othman, Dhouha
date 2013-09-02T00:00:00
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harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2025-08-13T00:00:00
relation info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/EPE.2013.6634665
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