Robustness of 1.2 kV SiC MOSFET devices
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Additional Info
| Field | Value |
|---|---|
| Source | ISSN: 0026-2714 |
| Author | Othman, Dhouha, Lefebvre, Stéphane, Bouarroudj-Berkani, Mounira, Khatir, Zoubir, Ibrahim, Ali, Bouzourene, Arezki |
| Maintainer | CCSD |
| Last Updated | May 9, 2026, 06:10 (UTC) |
| Created | May 9, 2026, 06:10 (UTC) |
| Identifier | hal-00876938 |
| Language | en |
| contributor | Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE) ; École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP) ; Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [Cnam] (Cnam)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| creator | Othman, Dhouha |
| date | 2013-07-13T00:00:00 |
| harvest_object_id | 631b8b76-d6bd-4478-be8f-533ad718967d |
| harvest_source_id | 3374d638-d20b-4672-ba96-a23232d55657 |
| harvest_source_title | test moissonnage SELUNE |
| metadata_modified | 2025-08-13T00:00:00 |
| relation | info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.microrel.2013.07.072 |
| set_spec | type:ART |