PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION JFET

Pub. No.: WO/2014/037628 International Application No.: PCT/FR2012/051983 - Publication Date: 13.03.2014 International Filing Date: 05.09.2012

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Field Value
Source https://hal.science/hal-00989013
Author Tournier, Dominique, Chevalier, Florian, Godignon, Philippe, Millán, José
Maintainer CCSD
Last Updated May 5, 2026, 11:42 (UTC)
Created May 5, 2026, 11:42 (UTC)
Identifier Patent N°: FR2012/051983
Language fr
contributor Ampère, Département Energie Electrique (EE) ; Ampère (AMPERE) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
creator Tournier, Dominique
date 2014-03-13T00:00:00
harvest_object_id c8a40f50-7117-4a20-a5a1-9c01e087ef96
harvest_source_id 3374d638-d20b-4672-ba96-a23232d55657
harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2026-03-10T00:00:00
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