Pushing the limits of GaN-on-silicon device breakdown voltage for high power applications
Data and Resources
Additional Info
| Field | Value |
|---|---|
| Source | CMOS Emerging Technologies Research Symposium |
| Author | Herbecq, Nicolas, Roch-Jeune, Isabelle, Medjdoub, F |
| Maintainer | CCSD |
| Last Updated | May 5, 2026, 15:33 (UTC) |
| Created | May 5, 2026, 15:33 (UTC) |
| Identifier | hal-00976633 |
| Language | en |
| contributor | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| coverage | Grenoble, France |
| creator | Herbecq, Nicolas |
| date | 2014-05-05T00:00:00 |
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| harvest_source_title | test moissonnage SELUNE |
| metadata_modified | 2024-01-24T00:00:00 |
| set_spec | type:COMM |