Analysis of the SiC VJFET gate punch-through and its dependence with the temperature

10 pages

Data and Resources

Additional Info

Field Value
Source Proceedings of the IEEE 15th European Conference on Power Electronics and Applications
Author Dubois, Fabien, Bergogne, Dominique, Tournier, Dominique, Buttay, Cyril, Meuret, Régis, Morel, Hervé
Maintainer CCSD
Last Updated May 9, 2026, 07:54 (UTC)
Created May 9, 2026, 07:54 (UTC)
Identifier hal-00874655
Language en
Rights https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/
contributor Ampère (AMPERE) ; École Centrale de Lyon (ECL) ; Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon) ; Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
coverage Lille, France
creator Dubois, Fabien
date 2013-09-03T00:00:00
harvest_object_id f75f9da9-8488-4ae8-b166-d38c9f5b41be
harvest_source_id 3374d638-d20b-4672-ba96-a23232d55657
harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2026-03-10T00:00:00
relation info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/EPE.2013.6631963
set_spec type:COMM