A study of the effect of degradation of the aluminium metallization layer in the case of power semiconductor devices

International audience

Data and Resources

Additional Info

Field Value
Source ISSN: 0026-2714
Author Pietranico, Sylvain, Lefebvre, Stéphane, Pommier, Sylvie, Bouarroudj-Berkani, Mounira, Bontemps, Serge
Maintainer CCSD
Last Updated May 9, 2026, 12:06 (UTC)
Created May 9, 2026, 12:06 (UTC)
Identifier hal-00869401
Language en
contributor Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE) ; École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP) ; Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [Cnam] (Cnam)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
creator Pietranico, Sylvain
date 2011-09-02T00:00:00
harvest_object_id 79f63ec7-d581-4c34-a72d-bded7e7f5be8
harvest_source_id 3374d638-d20b-4672-ba96-a23232d55657
harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2025-11-14T00:00:00
relation info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.microrel.2011.06.009
set_spec type:ART