Effect of strain relaxation on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMTs

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Field Value
Source Proceedings of 1st International Conference on Engineering and Technology, ICET 2012
Author Bellakhdar, A., Telia, A., Semra, L., Soltani, A.
Maintainer CCSD
Last Updated May 12, 2026, 15:31 (UTC)
Created May 12, 2026, 15:31 (UTC)
Identifier hal-00801158
Language en
contributor Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
coverage Cairo, Egypt
creator Bellakhdar, A.
date 2012-05-12T00:00:00
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harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2024-01-24T00:00:00
relation info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/ICEngTechnol.2012.6396129
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