High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC

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Field Value
Source Proceedings of 13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012
Author Mele, D., Pichonat, E., Fregonese, S., Ouerghi, A., Happy, H.
Maintainer CCSD
Last Updated May 12, 2026, 16:07 (UTC)
Created May 12, 2026, 16:07 (UTC)
Identifier hal-00801050
Language en
contributor Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
coverage Madrid, Spain
creator Mele, D.
date 2012-05-12T00:00:00
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harvest_source_title test moissonnage SELUNE
metadata_modified 2024-01-24T00:00:00
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