Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium
Data and Resources
Additional Info
| Field | Value |
|---|---|
| Source | https://hal.science/hal-00799319 |
| Author | Boucherit, Mohamed |
| Maintainer | CCSD |
| Last Updated | May 13, 2026, 01:22 (UTC) |
| Created | May 13, 2026, 01:22 (UTC) |
| Identifier | hal-00799319 |
| Language | fr |
| contributor | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| creator | Boucherit, Mohamed |
| date | 2012-05-13T00:00:00 |
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| metadata_modified | 2024-01-24T00:00:00 |
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