Etude et développement de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb reportés sur Si en vue de la dissipation thermique

Thèse de doctorat en Micro et Nano Technologies, Acoustique et Télécommunications, Université de Lille 1, 12 novembre

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Additional Info

Field Value
Source https://hal.science/hal-00799266
Author Thiam, Ndèye Arame
Maintainer CCSD
Last Updated May 13, 2026, 02:15 (UTC)
Created May 13, 2026, 02:15 (UTC)
Identifier hal-00799266
Language fr
contributor Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
creator Thiam, Ndèye Arame
date 2012-05-13T00:00:00
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