Nous avons utilisé la spectroscopie par photo-courant (PC) pour mettre en évidence la structure électronique d'îlots quantique InAs sur substrat d'InP(113) et (100) pour une émission contrôlée à 1,55µm. L'étude en fonction de la température a montré une variation de l'ordre de 70meV des premiers niveaux d'énergies de transition pour des températures variant entre 77 et 300K. L'échappement des porteurs induits par absorption s'avère être assisté par les effets tunnel et thermoïonique. Les taux d'échappement ainsi que les énergies d'activation correspondants aux différents niveaux d'énergie ont pu être estimés. L'étude comparative en fonction de l'empilement de plans d'îlots (1, 3 et 6 plans) montre de faibles écarts de variation des énergies dans les structures à 3 et à 6 plans. Des simulations utilisant un modèle simple de type kp à une bande ont permis de calculer les niveaux d'énergie dans les îlots et de confirmer les résultats expérimentaux.
